特許
J-GLOBAL ID：200903014119913612

窒化物半導体発光素子

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

, 
佐藤 史隆

佐藤 史隆 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-119253
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277539
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】AlGaNを含むエピタキシャル層構造にクラックが発生し難い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子11aは、GaN半導体からなる支持体13と、第1導電型AlGaN領域15と、第2導電型GaN系半導体層17と、活性層19とを備える。支持体13のGaN半導体のc軸は、側面13cから側面13dに伸びているので、基板主面は、m面またはa面である。AlGaN領域15およびGaN系半導体層17は、支持体13の主面13a上に設けられている。AlGaN領域13のアルミニウム組成は0.05以上であり、またAlGaN領域15の厚さD1は500nm以上である。活性層19は、第1導電型AlGaN領域15と第2導電型GaN系半導体層17との間に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面と複数の側面とを有しておりGaN半導体からなる支持体と、 前記支持体の前記主面上に設けられた第1導電型AlGaN領域と、 前記支持体の前記主面上に設けられた第2導電型GaN系半導体領域と、 前記第1導電型AlGaN領域と前記第2導電型GaN系半導体領域との間に設けられGaN系半導体から成る活性層と を備え、 前記支持体のGaN半導体のc軸は、前記支持体の前記複数の側面のうちの第1の側面から第2の側面に伸びており、 前記第1の側面は前記第2の側面に対向しており、 前記AlGaN領域のアルミニウム組成は0.05以上であり、 前記AlGaN領域の厚さは500nm以上である、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (19件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F173AA12 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AR82
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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