特許
J-GLOBAL ID:200903046297358761
発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-226574
公開番号(公開出願番号):特開2007-042928
出願日: 2005年08月04日
公開日(公表日): 2007年02月15日
要約:
【課題】 高発光効率で紫外光を発光する発光素子を提供する。【解決手段】 n型β-Ga2O3基板あるいはn型(AlGa)2O3基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたAlGaN半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
n型β-Ga2O3あるいはn型(AlGa)2O3よりなる紫外光に対して透明な基板と、
前記基板上に形成されたAlGaN半導体層によって構成された発光部とを含むことを特徴とする発光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA67
, 5F041CB36
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体層
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-290862
出願人:株式会社光波
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発光素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-137912
出願人:株式会社光波
審査官引用 (5件)
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発光素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-137912
出願人:株式会社光波
-
半導体層
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-290862
出願人:株式会社光波
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半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-320916
出願人:日亜化学工業株式会社
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