特許
J-GLOBAL ID：200903069663971013

半導体装置

発明者：
石田 秀俊

石田 秀俊 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-030281
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245564
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】単結晶基板105と、対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、単結晶基板105上に形成された半導体層101と、半導体層101上に形成されたソース電極102、ドレイン電極103及びゲート電極104とを備え、半導体層101を構成するGaN層106及びAlGaN層107の主面は六方晶系結晶のC軸を面内に含み、半導体層101内のチャネル領域101aの長手方向は六方晶系結晶のC軸と平行である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性領域を有し、第1六方晶系(6mm)結晶から構成される第1半導体層と、 前記第1半導体層の主面上に形成された、前記第1六方晶系(6mm)結晶と異なるバンドギャップエネルギーを有する第2六方晶系(6mm)結晶から構成される第2半導体層とを備え、 前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のC軸と平行であり、 前記第2半導体層の主面は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であり、 前記活性領域の長手方向は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行である ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (15件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AP17 ,  5F173AR23
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265783   出願人：日本電気株式会社
  • 窒化物系化合物半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341825   出願人：シャープ株式会社, 学校法人立命館
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM