特許
J-GLOBAL ID：200903014138308444
半導体レーザの製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108668
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305351
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 確実に共振器端面のみのバンドギャップを大きくすることにより、端面での光を吸収しなくする窓構造を有すると共に、表面再結合による端面の劣化を防止することができる半導体レーザの製法を提供する。【解決手段】 まず、半導体材料からなる量子井戸構造の活性層3をその活性層3よりバンドギャップの大きい半導体材料からなるn形およびp形のクラッド層2、4により挟持してレーザ共振器を構成するように半導体積層部10を形成し、ついで、共振器の端面にドーパントを含む薄膜11を形成し、さらに端面コート膜12、13を形成し、その後加熱処理を行うことによりドーパントを共振器の端面に拡散する。
請求項（抜粋）：
半導体材料からなる量子井戸構造の活性層を該活性層よりバンドギャップの大きい半導体材料からなるn形およびp形のクラッド層により挟持してレーザ共振器を構成するように半導体積層部を形成し、該共振器の端面にドーパントを含む薄膜を形成し、ついで前記共振器の端面に端面コート膜を形成し、その後加熱処理を行うことにより前記ドーパントを前記共振器の端面に拡散することを特徴とする半導体レーザの製法。
Fターム (17件)：
5F073AA04
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA85
, 5F073AA87
, 5F073BA02
, 5F073BA06
, 5F073CA04
, 5F073CA07
, 5F073DA15
, 5F073DA16
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA24
, 5F073EA27
, 5F073EA28
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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