単結晶基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295703
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095798
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】結晶層又は基板を板状に分割する方法を利用し、炭化珪素等の大面積で低面欠陥密度の単結晶基板を製造することができる方法を提供する。【解決手段】第1の基板の一方の主表面の全面または少なくとも一部の面に破断層を形成する工程、前記第1の基板の破断層上に第2の単結晶層を、自立可能な強度を有する厚さに形成する工程、及び前記第1の基板に形成された破断層において切断し、第2の単結晶層を第1の基板から分離して単結晶基板を得る工程を含む単結晶基板の製造方法。破断層を形成する工程は、(1)イオン注入をしてイオン注入層を形成する工程、(2)陽極酸化により多孔質層を形成する工程、をとることができる。

請求項（抜粋）：

第1の基板の一方の主表面の全面または少なくとも一部の面に破断層を形成する工程、前記第1の基板の破断層上に第2の単結晶層を形成する工程、及び前記第1の基板に形成された破断層において切断し、第2の単結晶層を第1の基板から分離して単結晶基板を得る工程を含む単結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 , C23C 16/01 , H01L 21/265 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/36 A , C23C 16/01 , H01L 21/205 , H01L 21/265 Q

Fターム (34件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077TB04 , 4G077TF01 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030LA12 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE17 , 5F045BB12 , 5F045GH08 , 5F045HA15

引用特許：

審査官引用 (10件)

薄膜単結晶デバイスの製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200531 出願人：キヤノン株式会社
特開昭52-077897
特開昭52-090496

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