特許
J-GLOBAL ID:200903014220707535
半導体装置及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-038249
公開番号(公開出願番号):特開2007-220808
出願日: 2006年02月15日
公開日(公表日): 2007年08月30日
要約:
【課題】 ファセットに起因した特性の悪化を防止することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 素子分離領域12と、素子分離領域によって規定された半導体素子領域11であって、チャネル形成部11aと、素子分離領域とチャネル形成部との間に形成された凹部とを有する半導体素子領域11と、凹部に形成されたエピタキシャル半導体部19と、を備え、半導体素子領域は、素子分離領域とエピタキシャル半導体部との間に壁部11bを有する。【選択図】 図12
請求項(抜粋):
素子分離領域と、
前記素子分離領域によって規定された半導体素子領域であって、チャネル形成部と、前記素子分離領域と前記チャネル形成部との間に形成された凹部とを有する半導体素子領域と、
前記凹部に形成されたエピタキシャル半導体部と、
を備え、
前記半導体素子領域は、前記素子分離領域と前記エピタキシャル半導体部との間に壁部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 21/823
, H01L 27/092
, H01L 29/786
FI (8件):
H01L29/78 301S
, H01L21/28 301D
, H01L21/28 301S
, H01L29/78 301N
, H01L27/08 321C
, H01L27/08 321E
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 616T
Fターム (99件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB21
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD04
, 4M104DD84
, 4M104FF14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F048AA08
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB06
, 5F048BB07
, 5F048BB08
, 5F048BB12
, 5F048BC01
, 5F048BC05
, 5F048BC15
, 5F048BC18
, 5F048BD00
, 5F048BF06
, 5F048BG13
, 5F048DA19
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F048DB01
, 5F048DB06
, 5F110AA01
, 5F110AA02
, 5F110AA06
, 5F110AA30
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HJ21
, 5F110HJ23
, 5F110HK05
, 5F110HM02
, 5F110HM07
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN24
, 5F110NN62
, 5F110QQ11
, 5F140AA05
, 5F140AA12
, 5F140AA21
, 5F140AA24
, 5F140AB03
, 5F140AC01
, 5F140AC28
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG22
, 5F140BG34
, 5F140BG39
, 5F140BG54
, 5F140BH05
, 5F140BH06
, 5F140BH07
, 5F140BH14
, 5F140BH27
, 5F140BJ01
, 5F140BJ03
, 5F140BJ08
, 5F140BK03
, 5F140BK08
, 5F140BK09
, 5F140BK12
, 5F140BK13
, 5F140BK15
, 5F140BK16
, 5F140BK18
, 5F140BK21
, 5F140BK34
, 5F140CB04
, 5F140CC08
, 5F140CF04
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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