特許
J-GLOBAL ID：200903014496110982

アクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法

発明者：
裏 匡史

裏 匡史 について

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▲たか▼鍋 昌一

▲たか▼鍋 昌一 について

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中村 伸宏

中村 伸宏 について

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遠藤 幸雄

遠藤 幸雄 について

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伊藤 攻

伊藤 攻 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について

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株式会社アドバンスト・ディスプレイ

株式会社アドバンスト・ディスプレイ について


代理人 (4件)： 朝日奈 宗太 ,  佐木 啓二 ,  秋山 文男 ,  田中 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385535
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111991
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】低いコンタクト抵抗をうることのできるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】本発明のコンタクトホール形成方法は、(1)基板上に設けた第1の電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(2)該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、(3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であって、前記(2)の工程において、前記コンタクトホールをドライエッチングで形成したのち、酸素ガスによるプラズマエッチングによって前記コンタクトホールを表面処理する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(1)基板上に設けた第1の電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、 (2)該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、 (3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程と からなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であって、 前記(2)の工程において、前記コンタクトホールをドライエッチングで形成したのち、酸素ガスによるプラズマエッチングによって前記コンタクトホールを表面処理するアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法。
IPC (5件)：
H01L21/28 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768
FI (6件)：
H01L21/28 L ,  H01L21/28 A ,  G02F1/1333 505 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/90 A ,  H01L21/302 106
Fターム (56件)：
2H090HA06 ,  2H090HB03X ,  2H090HB04X ,  2H090HC12 ,  2H090HC16 ,  2H090LA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092MA18 ,  2H092MA22 ,  2H092NA28 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH15 ,  5F004AA13 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EB01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK17 ,  5F033NN13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW05 ,  5F033XX09 ,  5F033XX21
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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