特許
J-GLOBAL ID：200903014547785041

強誘電体メモリ

発明者：
樋山 邦夫

樋山 邦夫 について

, 
坪井 秀樹

坪井 秀樹 について

, 
岡田 升宏

岡田 升宏 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094374
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286395
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 疲労特性を向上させ、リーク電流及びアニール温度を下げることができると共に高集積化することができる強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 PbxZr(1-y)TiyO3及びLiを含有する組成を有する強誘電体膜と、強誘電体の上部及び下部に形成された格子定数が3.5乃至4.3Åの材料及び格子定数が4.9乃至5.9Åの材料からなる群から選択された材料からなる上部電極及び下部電極を有し、xの値は0.9乃至1.3、yの値は0.3乃至0.7であり、強誘電体膜の膜厚は500乃至5000Åであると共に、Liの添加量は0.1乃至20mol%である。
請求項（抜粋）：
PbxZr(1-y)TiyO3及びLiを含有する組成を有する強誘電体膜と、前記強誘電体の上部及び下部に形成された格子定数が3.5乃至4.3Åの材料及び格子定数が4.9乃至5.9Åの材料からなる群から選択された材料からなる上部電極及び下部電極を有し、xの値は0.9乃至1.3、yの値は0.3乃至0.7であり、前記強誘電体膜の膜厚は500乃至5000Åであると共に、Liの添加量は0.2乃至20mol%であることを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Fターム (14件)：
5F001AA17 ,  5F001AD33 ,  5F001AE08 ,  5F001AE20 ,  5F001AF07 ,  5F001AF25 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083GA30 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (11件)
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