特許
J-GLOBAL ID：200903014549181704

不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の制御方法

発明者：
田口 眞男

田口 眞男 について


出願人/特許権者：
スパンション エルエルシー

スパンション エルエルシー について


代理人 (2件)： 田中 裕人 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-108886
公開番号（公開出願番号）：特開2009-259351
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】リーク電流が存在するメモリセルから正確にデータを読み出すことができる不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の制御方法を提供すること。【解決手段】NOR型フラッシュメモリ1は、電気的にデータの書き換えが可能な複数の不揮発性のメモリセルMC1ないしMC4が接続されたビット線BLと、ビット線BLに対応して備えられる電圧検出型センスアンプVSAと、ビット線BLと電圧検出型センスアンプVSAとの接続経路間に備えられる選択トランジスタSQとを備える。選択トランジスタSQは、メモリセルMC1ないしMC4からデータを読み出す際にパルス時間Tの間導通状態とされ、パルス時間Tの経過後に非導通状態とされる。電圧検出型センスアンプVSAは、選択トランジスタSQが非導通状態とされた後にセンス動作を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き換えが可能な複数の不揮発性のメモリセルが接続されたビット線と、 前記ビット線に対応して備えられる電圧検出型センスアンプと、 前記ビット線と前記電圧検出型センスアンプとの接続経路間に備えられる選択トランジスタとを備え、 前記選択トランジスタは、前記メモリセルから前記データを読み出す際に所定時間の間導通状態とされ、所定時間の経過後に非導通状態とされ、 前記電圧検出型センスアンプは、前記選択トランジスタが非導通状態とされた後にセンス動作を行う ことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04
FI (4件)：
G11C17/00 634C ,  G11C17/00 634B ,  G11C17/00 624 ,  G11C17/00 639C
Fターム (21件)：
5B125BA02 ,  5B125CA04 ,  5B125CA06 ,  5B125CA15 ,  5B125CA21 ,  5B125DA01 ,  5B125DA09 ,  5B125DE08 ,  5B125EA01 ,  5B125EA05 ,  5B125ED09 ,  5B125EE02 ,  5B125EE03 ,  5B125EE09 ,  5B125EE12 ,  5B125EJ07 ,  5B125EJ09 ,  5B125EJ10 ,  5B125EK10 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM