特許
J-GLOBAL ID：200903014651822951

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
萩原 裕之

萩原 裕之 について

, 
佐藤 信司

佐藤 信司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269470
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】本発明は、データの書き込み・消去を電気的に行うEEPROMにおいて、微細化にともなって劣化する、セルの信頼性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、セルのトンネル酸化膜31-5a の膜厚が80オングストロームとされた第1セルエリア31aと、トンネル酸化膜31-5b の膜厚が120オングストロームとされた第2セルエリア31bとを有して、メモリセル・アレイ31を構成する。そして、第1セルエリア31aを、高速な書き換えの要求があるデータの格納用に、第2セルエリア31bを、長期的な保持が必要なデータの格納用に割り当てる。これにより、データ書き込み特性の高速動作性とデータ保持特性の長期信頼性との両立を図る構成となっている。
請求項（抜粋）：
データの書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、複数のメモリセルからなるメモリセルアレイ内に、それぞれ、メモリセルのトンネル酸化膜厚が異なる、複数の領域が存在することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (37件)：
5F001AA08 ,  5F001AA43 ,  5F001AA62 ,  5F001AA63 ,  5F001AB08 ,  5F001AC01 ,  5F001AD12 ,  5F001AD53 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AG02 ,  5F001AG40 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083HA10 ,  5F083JA04 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR12 ,  5F083PR40 ,  5F083PR44 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (9件)
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