特許
J-GLOBAL ID：200903032462922536
半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336338
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289165
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【目的】 単結晶に匹敵する結晶性を有する半導体薄膜およびそれを用いて形成した活性層を有する半導体装置を得る。【構成】 まず、基板に対して概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成される横成長領域を有した半導体薄膜を得る。さらに、得られた半導体薄膜に対してレーザー光またはそれと同等のエネルギーを持つ強光の照射を行う。その結果、個々の柱状または針状結晶が隣接する結晶と互いに接合し、実質的に結晶粒界が存在しない領域、即ち、実質的に単結晶と見なせるモノドメイン領域が形成される。そして、この領域で活性層を構成して半導体装置を作製する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基体上に形成された半導体薄膜であって、前記半導体薄膜はレーザー光または該レーザー光と同等のエネルギーを持つ強光の照射により結晶性を改善されたモノドメイン領域を有し、前記モノドメイン領域は前記基体と概略平行な柱状または針状結晶が複数集合して形成されていることを特徴とする半導体薄膜。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 23/15
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 23/14 C
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 E
