相互接続構造を形成するための方法および相互接続構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133328
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358224
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】相互接続構造を形成するための方法および相互接続構造を提供する。【解決手段】内部にアンチ-ヒューズ誘電層が形成された相互接続構造は、電気的導電性構造の第1のレベルを含む基板50と、基板50上に形成され、電気的導電性構造52の第1のレベルの少なくとも1つへの開口を含むパターン付けされたアンチ-ヒューズ誘電層54と、パターン付けされたアンチ-ヒューズ誘電層54上に形成され、少なくとも1つが開口の上側にバイア空間が形成された複数のバイアを含むパターン付けされたレベル間誘電層56の材料と、バイアとバイア空間内に形成された電気的導電性構造52の第2のレベルとを含んでいる。

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成され、パターン付けされたアンチ-ヒューズ誘電層を含む相互接続構造を形成するための方法であって、該方法は、(a)電気的導電性構造の第1のレベルを含む基板の表面にアンチ-ヒューズ誘電層を形成するステップと、(b)前記アンチ-ヒューズ誘電層の上にレベル間誘電層を形成するステップと、(c)前記レベル間誘電層に複数のバイアを形成し、かつ前記電気的導電性構造の第1のレベルを被覆する前記アンチ-ヒューズ誘電層の一部を露出するステップと、(d)少なくとも1つの前記バイアと前記レベル間誘電層の一部とを露出させて前記レベル間誘電層の上に配線レベル・マスクを形成するステップと、(e)前記露出したレベル間誘電層の露出した一部を除去してその後に電気的導電性構造の第2のレベル続けて形成する空間を形成させるように、前記露出された複数のバイアから前記アンチ-ヒューズ誘電層の露出した一部をエッチングするステップと、(f)前記配線レベル・マスクをストリッピングするステップと、(g)前記空間を含んだ前記複数のバイアを導電性材料で充填して、前記電気的導電性構造の第2のレベルを形成するステップとを含む相互接続構造の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/90 A , H01L 21/88 Z

Fターム (41件)：

5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK17 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS30 , 5F033VV11 , 5F064EE22 , 5F064EE26 , 5F064EE27 , 5F064EE32 , 5F064EE33 , 5F064FF28 , 5F064FF29 , 5F064GG03

引用特許：

審査官引用 (9件)

アンチヒューズを備えた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281356 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-242871 出願人：富士通株式会社
特開平1-270248

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