特許
J-GLOBAL ID：200903014906450310
マルチ電子ビーム描画装置用デバイス及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233201
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054072
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】 マルチ電子ビーム描画装置用偏向デバイスの製造方法において、偏向電極を備えた高アスペクト比の貫通孔を基板に高精度かつ高密度に成形できるようにすること。【解決手段】 マルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法は、シリコン基板1に貫通孔2を複数形成した後、電子ビームを偏向するための偏向電極を貫通孔2の側壁に形成する。この製造方法は、シリコン基板1の一側からドライエッチングによりほぼ垂直な側壁を有する溝部11を形成し、シリコン基板1の他側からドライエッチングにより溝部と異なる径を有すると共にほぼ垂直な側壁を有する第2の孔部2aを溝部11に連通するように形成して溝部11で形成される第1の孔部2aと共にシリコン基板1を貫通するアスペクト比が4以上の貫通孔2を形成した後、貫通孔2の側壁に独立して対向する偏向電極を形成する方法である。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
シリコン基板に貫通孔を複数形成した後、電子ビームを偏向するための偏向電極を前記貫通孔の側壁に形成するマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法において、
前記シリコン基板の一側からドライエッチングによりほぼ垂直な側壁を有する溝部を形成し、
前記シリコン基板の他側からドライエッチングにより前記溝部と異なる径を有すると共にほぼ垂直な側壁を有する第1の孔部を前記溝部に連通するように形成して前記溝部で形成される第2の孔部と共に前記シリコン基板を貫通する貫通孔を形成した後、
前記貫通孔の側壁に独立して対向する偏向電極を形成する
ことを特徴とするマルチ電子ビーム描画装置用デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01J 37/147
, G03F 7/20
, H01J 9/14
, H01L 21/027
H01J37/147 C
, G03F7/20 504
, H01J9/14 A
, H01L21/30 541B
2H097CA16
, 2H097GB04
, 2H097LA10
, 5C033GG02
, 5F056AA33
, 5F056EA01
, 5F056EA06
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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