特許
J-GLOBAL ID：200903079230713422
冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-071842
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270087
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】絶縁層に設けられた開口部の側壁に汚染物質が付着し難く、電子放出特性が低下し難い冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】支持体10、カソード電極11、絶縁層12、絶縁層12上に形成され、孔部14Aを有するゲート電極13、絶縁層12に形成され、孔部14Aと連通した開口部14B、及び、開口部14Bの底部に露出したゲート電極11に設けられた電子放出部15を備えた冷陰極電界電子放出素子を製造する方法であって、絶縁層12にドライエッチング法にて開口部14Bを形成した後、開口部14Bの側壁を平滑化処理する。
請求項（抜粋）：
(A)支持体、(B)支持体上に形成されたカソード電極、(C)カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、(D)絶縁層上に形成され、孔部を有するゲート電極、(E)絶縁層に形成され、孔部と連通した開口部、及び、(F)開口部の底部に露出したゲート電極に設けられた電子放出部、を備えた冷陰極電界電子放出素子を製造する方法であって、絶縁層にドライエッチング法にて開口部を形成した後、開口部側壁を平滑化処理することを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
引用特許：
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