特許
J-GLOBAL ID：200903014926400084

パターン評価方法,位置合わせ方法、検査装置の検査方法,半導体製造工程の管理方法

発明者：
池田 隆洋

池田 隆洋 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-214358
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031469
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】エッジラフネスの影響を取り除いて、パターンをひずませる原因を特定することが可能になるパターン評価方法を提供すること。【解決手段】試料に形成されたパターンの画像を取得する工程(S101)と、取得された画像から、前記パターンの輪郭を抽出し、抽出された輪郭上の複数のエッジ点の位置座標をそれぞれ求める工程(S102)と、求められた各エッジ点の位置座標から、最小二乗法によって前記パターンを楕円に近似する工程(S103,S104)と、近似された楕円の中心座標、長軸の方向、長半径、短半径、短半径と長半径との比、面積、周囲長のうち少なくとも一つを算出する工程(S105)。
請求項（抜粋）：
試料に形成されたパターンの画像を取得する工程と、取得された画像から、前記パターンの輪郭を抽出し、抽出された輪郭上の複数のエッジ点の位置座標をそれぞれ求める工程と、求められた各エッジ点の位置座標から、最小二乗法によって前記パターンを楕円に近似する工程と、近似された楕円の中心座標、長軸の方向、長半径、短半径、短半径と長半径との比、面積、周囲長のうち少なくとも一つを算出する工程とを含むことを特徴とするパターン評価方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G06T 1/00 305 ,  G06T 7/60 150
FI (6件)：
G03F 1/08 S ,  G03F 7/20 521 ,  G06T 1/00 305 A ,  G06T 7/60 150 J ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 516 A
Fターム (21件)：
2H095BD02 ,  2H095BD24 ,  2H095BD26 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CE05 ,  5B057CF05 ,  5B057DC03 ,  5B057DC06 ,  5F046AA18 ,  5F046FA10 ,  5F046FC04 ,  5L096BA03 ,  5L096CA02 ,  5L096FA32 ,  5L096FA33 ,  5L096FA64 ,  5L096FA69 ,  5L096GA32
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM