特許
J-GLOBAL ID：200903014965008949

光増幅型アレイ導波路回折格子

発明者：
土澤 泰

土澤 泰 について

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高橋 光俊

高橋 光俊 について

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板橋 聖一

板橋 聖一 について

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高橋 淳一

高橋 淳一 について

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福田 浩

福田 浩 について

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山田 浩治

山田 浩治 について

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渡辺 俊文

渡辺 俊文 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218580
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074016
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】より小型化された状態で、光の増幅とともに波長合分波ができるようにする。【解決手段】下部クラッド層112の上に、入射導波路コア101aと、励起光入射コア101bと、入射側スラブ導波路コア103と、複数のアレイ導波路コア105と、出射側スラブ導波路コア104と、出射導波路コア102とが形成されている。また、上述した各コアを覆うように、屈折率が約1.465の上部クラッド層114が形成されている。入射側スラブ導波路コア103と、複数のアレイ導波路コア105と、出射側スラブ導波路コア104とは、屈折率が約1.51のSiONから構成され、かつ、Erなどの希土類元素が添加されている。なお、SiONのかわりに、SiOx(x<2)を用いてもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成され、SiON及びSiOx(x<2)の少なくとも1つからなるコア材料より構成された入射導波路コア及び励起光入射導波路コアと、 前記下部クラッド層の上に形成され、希土類元素が添加された前記コア材料から構成された入射側スラブ導波路コア,アレイ導波路コア,出射側スラブ導波路コアと、 前記下部クラッド層の上に形成され、前記コア材料から構成された出射導波路コアと、 前記コアを覆うように形成された酸化シリコンからなる上部クラッド層と を備え、 前記入射導波路コアからなる入射導波路と、前記入射側スラブ導波路コアからなる入射側スラブ導波路と、前記アレイ導波路コアからなるアレイ導波路と、前記出射側スラブ導波路コアからなる出射側スラブ導波路と前記出射導波路コアからなる出射導波路とによりアレイ導波路回折格子が構成されて、 前記励起光入射導波路コアからなる励起光入射導波路より入射された励起光は、前記入射側スラブ導波路に導波する ことを特徴とする光増幅型アレイ導波路回折格子。
IPC (2件)：
H01S 3/06 ,  G02B 6/12
FI (2件)：
H01S3/06 A ,  G02B6/12 F
Fターム (25件)：
2H147AB03 ,  2H147AB17 ,  2H147AB24 ,  2H147BB02 ,  2H147BE05 ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA38A ,  2H147FA03 ,  2H147FA05 ,  2H147FA27 ,  2H147FB04 ,  2H147FB13 ,  2H147FC05 ,  2H147FF01 ,  5F172AE12 ,  5F172AE13 ,  5F172AF01 ,  5F172AF03 ,  5F172AM10 ,  5F172BB29 ,  5F172BB83 ,  5F172BB93 ,  5F172BB95
引用特許：
審査官引用 (14件)
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