半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-142237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317683
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

【課題】本発明の目的は、設計の自由度を向上し得る半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置10は、ソースおよびドレイン間に配置される第1導電型の導電層27と、該導電層のソース側に、所定の間隔で埋め込み形成されたトレンチゲート26と、該トレンチゲートの隣り合う一方の側壁にそれぞれ隣接して前記トレンチゲートに印加される電圧で反転層を形成してソースおよびドレイン間の電流制御を行なうための第2導電型の反転層形成領域14と、逆方向電圧の印加による電界を緩和するために前記導電層に埋め込まれた第2導電型の埋め込み領域13と、を備えており、埋め込み領域13はトレンチゲートの隣り合う他方の側壁にそれぞれ隣接して当該トレンチゲートの深さ寸法より深い位置まで埋め込み形成され、かつソースに直接的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソースおよびドレイン間に配置される第1導電型の導電層と、該導電層のソース側に、所定の間隔で埋め込み形成されたトレンチゲートと、該トレンチゲートの隣り合う一方の側壁にそれぞれ隣接して前記トレンチゲートに印加される電圧で反転層を形成してソースおよびドレイン間の電流制御を行なうための第2導電型の反転層形成領域と、逆方向電圧の印加による電界を緩和するために前記導電層に埋め込まれた第2導電型の埋め込み領域と、を備えた半導体装置において、前記埋め込み領域は、前記トレンチゲートの隣り合う他方の側壁にそれぞれ隣接して当該トレンチゲートの深さ寸法より深い位置まで埋め込み形成され、かつ前記ソースに直接的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/41 , H01L 29/06

FI (6件)：

H01L29/78 652H , H01L29/44 L , H01L29/78 652P , H01L29/78 652Q , H01L29/78 652L , H01L29/78 653A

Fターム (7件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB03 , 4M104BB14 , 4M104BB40 , 4M104FF31 , 4M104GG09

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-320838 出願人：新電元工業株式会社

審査官引用 (4件)

保護用ダイオードを備えるトレンチゲート形パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-303657 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-180825 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-338377 出願人：株式会社東芝

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