特許
J-GLOBAL ID:200903015111558976

還流ダイオードおよび負荷駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-300627
公開番号(公開出願番号):特開2003-235240
出願日: 2002年10月15日
公開日(公表日): 2003年08月22日
要約:
【要約】【課題】新規な構成にて容易に還流ダイオードのリカバリ特性をソフト化してリカバリサージを抑制することができるようにする。【解決手段】還流ダイオードとなるボディダイオードDf1〜Df6を内蔵したパワーMOSトランジスタT1〜T6を用いて3相ブリッジ回路を構成し、各パワーMOSトランジスタT1〜T6でのゲート端子とドレイン端子の間にコンデンサC1〜C6を接続するとともにゲート端子とソース端子との間に抵抗R1〜R6を介して接続し、還流ダイオードDf1〜Df6の逆回復動作時にコンデンサC1〜C6と抵抗R1〜R6によりゲート・ソース間の電圧を、一定時間、閾値電圧以上にする。
請求項(抜粋):
誘導性負荷に対する還流用閉回路に挿入された還流ダイオードであって、還流ダイオードに並列接続したMOSトランジスタでのゲート・ドレイン間にコンデンサを接続するとともにゲート・ソース間に抵抗を接続し、還流ダイオードの逆回復動作時に前記コンデンサと抵抗によりゲート・ソース間の電圧を、一定時間、閾値電圧以上にするようにしたことを特徴とする還流ダイオード。
IPC (5件):
H02M 1/08 ,  H01L 29/861 ,  H02M 7/48 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/695
FI (5件):
H02M 1/08 A ,  H02M 7/48 M ,  H03K 17/16 M ,  H03K 17/687 B ,  H01L 29/91 L
Fターム (47件):
5H007AA03 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007DB03 ,  5H007FA01 ,  5H007HA00 ,  5H007HA04 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740KK01 ,  5H740MM01 ,  5H740PP00 ,  5J055AX26 ,  5J055BX16 ,  5J055CX08 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055DX13 ,  5J055DX72 ,  5J055DX73 ,  5J055DX84 ,  5J055EX02 ,  5J055EX06 ,  5J055EY01 ,  5J055EY05 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ63 ,  5J055FX19 ,  5J055FX31 ,  5J055FX32 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04 ,  5J055GX05 ,  5J055GX06 ,  5J055GX07
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る