特許
J-GLOBAL ID：200903015318396089
圧力接触によるパワー半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353408
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 製造コストの低減と同時に、性能、信頼性、耐用年数が向上されるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 素子8が、それらの第1主面上に少なくとも部分的に配設されていて導体通路ならびに接触面が設けられている可撓性の導体プレート9を用いて接触され、可撓性の導体プレート9が、素子8を回路に応じて互いに及び/又は基板2の接触面3と接続し、それにより、可撓性の導体プレート9が、回路に応じたモジュールの電気接続部、及び/又は、少なくとも1つの外部の導体プレート5の接触面6に対する回路に応じた接続部を形成すること。
請求項（抜粋）：
ケーシングと、セラミック製の基板2と、回路に応じて基板2上に配設されて構成化されている導電性の接触面3と、接触面3上に配設されている素子8と、可撓性の圧力蓄積体10並びに圧力を生成する圧力プレート11から成る圧力接触部と、パワー接続部および制御接続部とを有するパワー半導体モジュールにおいて、素子8が、それらの第1主面上に少なくとも部分的に配設されていて導体通路ならびに接触面が設けられている可撓性の導体プレート9を用いて接触され、可撓性の導体プレート9が、素子8を回路に応じて互いに及び/又は基板2の接触面3と接続し、それにより、可撓性の導体プレート9が、回路に応じたモジュールの電気接続部、及び/又は、少なくとも1つの外部の導体プレート5の接触面6に対する回路に応じた接続部を形成することを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 23/52
, H01L 25/18
H01L 25/04 C
, H01L 23/52 D
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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