特許
J-GLOBAL ID：200903015395664797

半導体光素子およびその製造方法

発明者：
松舘 みつき

松舘 みつき について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-013338
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176908
出願日： 2008年01月24日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】劣化を確実に抑制することができる半導体光素子を提供すること。【解決手段】半導体レーザ素子は、一方向に延在する導波路領域(通電領域A’)が形成された半導体層(活性層4)を有する。半導体層(活性層4)の下方には、半導体層(活性層4)の導波路領域(通電領域A’)を除く他の領域に面欠陥15を形成するための面欠陥発生誘導体10が複数離間して配置されている。半導体層(活性層4)表面側からの平面視において面欠陥発生誘導体10と、導波路領域(通電領域A’)とが離間配置されるとともに、導波路領域(通電領域A’)の延在方向に沿って複数の面欠陥発生誘導体10が点在している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一方向に延在する導波路領域が形成された半導体層を有する半導体光素子において、 前記半導体層の下方には、前記半導体層の前記導波路領域を除く他の領域に面欠陥を形成するための面欠陥発生誘導体が複数離間して配置されており、 前記半導体層表面側からの平面視において前記各面欠陥発生誘導体と、前記導波路領域とが離間配置されるとともに、前記導波路領域の延在方向に沿って複数の前記面欠陥発生誘導体が点在している半導体光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/22
Fターム (13件)：
5F173AA08 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AL13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP19 ,  5F173AP23 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (5件)
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