特許
J-GLOBAL ID：200903004904070352
絶縁膜の形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089446
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289607
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 有機高分子を含むアルコキシシランの加水分解物を焼成することで、絶縁膜としてのポーラス膜材料を効率よく形成する。【解決手段】 溶剤と、一般式R1nSi(OR2)4-nで表される少なくとも一種のアルコキシシラン(ただし、R1及びR2はアルキル基、nは0、1、2、3のうちのいずれかの整数)の加水分解物と、有機高分子とを含む塗布液を基板上に塗布した後加熱工程を行うことによって絶縁膜を形成する方法において、加熱工程を枚葉式加熱装置で行う第1の加熱工程と、バッチ式加熱装置で行う第2の加熱工程との二段階で行う。本発明では、熱板加熱で短時間に溶剤除去と脱水縮合反応を行わせ、有機高分子の熱分解以上の温度で炉アニールすることで加熱総時間を短縮させて低誘電率絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
溶剤と、一般式R1nSi(OR2)4-nで表される少なくとも一種のアルコキシシラン(ただし、R1及びR2はアルキル基、nは0、1、2、3のうちのいずれかの整数)の加水分解物と、有機高分子とを含む塗布液を、基板上に塗布する工程と、前記基板上に塗布された前記塗布液の加熱を行い、前記基板上に絶縁膜を形成する加熱工程とを有する絶縁膜の形成方法において、前記加熱工程が、ともに枚葉式加熱装置で加熱を行う第1の加熱工程及び第2の加熱工程と、バッチ式加熱装置で加熱を行う第3の加熱工程とを有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
, H01L 21/768
H01L 21/316 G
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 Q
, H01L 21/90 S
5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033WW03
, 5F033XX24
, 5F033XX34
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
, 5F058BA20
, 5F058BB07
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
