特許
J-GLOBAL ID：200903085218972897
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036178
公開番号（公開出願番号）：特開2000-330289
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜180nm帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 側鎖にスルフォン酸エステルを持つベース樹脂を有するレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対してマスク12を介して、157nm帯の波長を持つF2 エキシマレーザ13を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像液により現像してレジストパターン14を形成する。
請求項（抜粋）：
側鎖にスルフォニル基を持つベース樹脂を有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像液により現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/027 502
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/027 502
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 515 B
, H01L 21/30 531 S
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (26件)
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