特許
J-GLOBAL ID：200903015475234947

光導波路の製造方法

発明者：
樫村 誠一

樫村 誠一 について

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本郷 晃史

本郷 晃史 について

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大平 健太郎

大平 健太郎 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297239
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 低損失で歩留りの高い光導波路の製造方法を提供する。【解決手段】 SiO2 粉体とGeO2 粉体とを混合し、プレスして得られたSiO2 -GeO2 成形体或いは続いて焼結して得られたSiO2 -GeO2 焼結体をスパッタターゲット4-1〜4-4とし、熱的な気化・蒸発機構を伴わないスパッタリングを基板3上に行うので、混合材料の蒸気圧に依存する突沸現象が発生せず、膜中へのクラスタの混入がない。また透明化温度を調整するための添加物であるリンやホウ素等を用いずにコア用の膜を形成するので、添加物に起因した散乱損失の増加やコアを熱処理した場合のコア変形等がない。このため低損失で歩留りの高い光導波路が得られる。
請求項（抜粋）：
SiO2 粉体とGeO2 粉体とを混合した後プレスしてSiO2 -GeO2 成形体を形成するか或いはプレス後続いて焼結してSiO2 -GeO2 焼結体を形成する工程と、上記成形体或いは上記焼結体をスパッタターゲットとして、スパッタリング法により低屈折率層を有する平面基板上にSiO2 -GeO2 組成のコアガラス膜を形成する工程と、上記基板全体を高温で熱処理する工程と、上記コアガラス膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより略矩形断面形状のコアに加工する工程と、上記平面基板上のコア全体に低屈折率のクラッドガラス膜を被覆する工程とを備えたことを特徴とする光導波路の製造方法。
IPC (2件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/12
FI (2件)：
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N
引用特許：
審査官引用 (12件)
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