特許
J-GLOBAL ID：200903015519142840
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-075862
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231578
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。【解決手段】二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。単に矩形領域の外周部分である端部にのみにおいて構成を異ならせることによって出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができ、また、格子配列は容易な円孔によって形成することができ、従来の構成のように作製が困難である三角形状や微小孔等の高い精度を要する加工を不要とすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層、もしくは当該活性層の上方あるいは下方に形成した積層に形成された二次元フォトニック結晶を有する半導体レーザにおいて、
前記二次元フォトニック結晶は、概ね一様な周期構造を有する内面部と当該内面部の周囲を囲む4辺の端部とからなる矩形領域を有し、
前記矩形領域は、2組の互いに対向する2辺の端部において、対向する2辺の端部のいずれか一方の端部の構造は前記内面部の周期構造と異なる構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
2H147AB04
, 2H147AC02
, 2H147BF03
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA12C
, 2H147FA04
, 2H147FC02
, 5F173AC20
, 5F173AC52
, 5F173AC70
, 5F173AF12
, 5F173AF32
, 5F173AH14
, 5F173AL02
, 5F173AL10
, 5F173AL14
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP37
, 5F173AP79
, 5F173AR33
, 5F173AR93
