薄膜トランジスタおよび薄膜集積回路装置とそれらの製造方法と液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102585
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタの素子サイズを大きくしたり、ガラス基板の損傷を懸念したりすることなく、ソースおよびドレイン領域の活性化の効率を高める。【解決手段】ガラス基板11上に島状の金属膜31を形成する。次に絶縁層のバッファー層12を形成後、その上に島状の多結晶シリコン膜13を形成する。ゲート絶縁膜14,ゲート電極15を形成後、ゲート電極15をマスクとしてLDD領域を形成するためn型不純物を注入する。LDD領域をフォトレジスト25で被覆しソースおよびドレイン領域を形成するためn型不純物を注入する。RTAにより、注入した不純物の活性化処理を行う。金属膜31がRTAによる熱を蓄積し、poly-Si膜13には、RTAのXeランプ光の吸収に加え、金属膜31からも熱供給が行われ、活性化の効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に絶縁層を介して島状の多結晶シリコン膜を形成し、前記多結晶シリコン膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、前記多結晶シリコン膜にソースおよびドレイン領域を形成した薄膜トランジスタであって、前記多結晶シリコン膜の下に前記絶縁層を介して金属膜を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/265 602 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/265 602 B , H01L 29/78 626 C , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 627 F

Fターム (64件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA10 , 2H092KA15 , 2H092MA03 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 2H092PA09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA13 , 5F110AA17 , 5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN43 , 5F110NN45 , 5F110NN54 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-318854 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-046340 出願人：松下電器産業株式会社
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-154127 出願人：三洋電機株式会社

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