半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357664
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177056
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】小面積で大容量の容量素子を得る。【解決手段】誘電体膜を第1電極と第2電極とで挾み込んだ容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記容量素子は、平面方向及び厚さ方向において前記第1電極及び第2電極が互いに向かい合うように前記第1電極及び第2電極を複数配置した構造となっている。

請求項（抜粋）：

誘電体膜を第1電極と第2電極とで挾み込んだ容量素子を有する半導体集積回路装置であって、前記容量素子は、平面方向及び厚さ方向において前記第1電極及び第2電極が互いに向かい合うように前記第1電極及び第2電極を複数配置した構造となっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Fターム (8件)：

5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF12 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (8件)

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