特許
J-GLOBAL ID：200903015768818188
強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041758
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243622
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタの特性が向上したメモリセルアレイおよびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】 本発明のメモリセルアレイ100は、強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列され、前記強誘電体キャパシタは、第1電極12と、該第1電極12と交差する方向に配列された第2電極16と、少なくとも前記第1電極12と前記第2電極16との交差領域に配置された強誘電体層14と、を含み、前記第1電極12の側面は、前記強誘電体層14より低誘電率である材料からなる絶縁層18により覆われている。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタからなるメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイであって、前記強誘電体キャパシタは、第1電極と、該第1電極と交差する方向に配列された第2電極と、少なくとも前記第1電極と前記第2電極との交差領域に配置された強誘電体層と、を含み、前記第1電極の側面は、前記強誘電体層より低誘電率である材料からなる絶縁層により覆われている、メモリセルアレイ。
Fターム (16件)：
5F083FR00
, 5F083FR01
, 5F083JA02
, 5F083JA06
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA19
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083JA43
, 5F083JA44
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR03
, 5F083PR39
