特許
J-GLOBAL ID：200903015792544978

窒化物半導体発光素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
川口 佳伸

川口 佳伸 について

, 
神川 剛

神川 剛 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329465
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189207
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が光出射部側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に共振器端面側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記光出射部は窒化物半導体からなり、前記光出射部に接するコート膜が前記光出射部側の酸窒化物膜と前記酸窒化物膜上の酸化物膜とからなることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/028 ,  H01L 21/318
FI (3件)：
H01S5/323 610 ,  H01S5/028 ,  H01L21/318 C
Fターム (20件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ07 ,  5F173AA08 ,  5F173AF95 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AQ11 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR68 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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