特許
J-GLOBAL ID：200903044423979057
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159463
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340625
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】キンクを大幅に低減させ、高出力時の信頼性と低出力時の使い易さを両立させ得る大きなダイナミックレンジを有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】窒化物からなるn型半導体層11〜14、活性層15およびp型半導体層16〜19が積層された積層半導体層と、n型半導体層とp型半導体層で活性層を挟む導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置する出射側のレーザミラーおよび反射側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、活性層は、青紫色〜緑色を含む波長領域内で発光が可能であり、フロント側のレーザミラーの反射率は60%以下である。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる第1導電型の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第1導電型の半導体層および第2導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層は、InxAlyGa1-x-yN(0.05≦x≦0.25、0≦y≦0.95、0.05≦x+y≦1)であり、前記フロント側のレーザミラーの反射率は60%以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F173AA08
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AL04
, 5F173AL05
, 5F173AL06
, 5F173AL07
, 5F173AL13
, 5F173AP06
, 5F173AR15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (19件)
全件表示
前のページに戻る
