特許
J-GLOBAL ID：200903015870528348

不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの書き込み及び読み取り方法

発明者：
鈴木 和輝

鈴木 和輝 について


出願人/特許権者：
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110191
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリセルから多値を読み取る動作において、必要な閾値の数を減らしてゲート電圧の切換回数を少なくすること、及び、プリチャージ技術を不要とすること、並びに、多値技術を用いる不揮発性半導体記憶装置の過渡的な設計の難易度を下げること。【解決手段】 トランジスタのソース及びドレインを形成する拡散層間のチャネル領域上に配置された第1及び第2のゲート電極、及び、これらのゲート電極に対向する第1及び第2のチャネル部を備え、第1及び第2のチャネル部のそれぞれに閾値が書き込まれた不揮発性メモリから1つの値を読み取る際、第1及び第2のチャネル部に書き込まれた閾値を判定した後、判定された第1及び第2のチャネル部の閾値の組み合わせを、ひとつの値として出力する。
請求項（抜粋）：
1メモリセルに2ビット以上の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタのソース及びドレインを形成する拡散層間のチャネル領域上に配置された第1及び第2のゲート電極と、第1及び第2のゲート電極の直下のチャネル領域であり、予め定められた複数の閾値の一を当該他のチャネル部と独立に記憶する第1及び第2のチャネル部と、第1及び第2のチャネル部に記憶された閾値の組み合わせをひとつの値として出力するセンスアンプとを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/04 ,  G11C 17/12 ,  G11C 17/18 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112
FI (4件)：
G11C 17/00 305 ,  G11C 17/00 304 Z ,  G11C 17/00 306 Z ,  H01L 27/10 433
Fターム (15件)：
5B003AA05 ,  5B003AB04 ,  5B003AB08 ,  5B003AC02 ,  5B003AC04 ,  5B003AC07 ,  5B003AD03 ,  5B003AD05 ,  5F083CR02 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083KA01 ,  5F083LA03 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA21
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
  • 特開昭62-200597

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