メモリ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208765
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040753
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】低い電圧で動作することができると共に、1素子で多値情報を保持することができるメモリ素子を提供する。【解決手段】伝導層13に隣接して第1の障壁層21,量子ドット22b,第2の障壁層23,量子ドット24bおよび第3の障壁層25を順次積層する。量子ドット22bの量子準位は量子ドット24bの量子準位よりも大きい。各量子ドット22b,24bと伝導層13との間の距離はそれぞれ電子がトンネリング可能な距離である。ゲート電極15に電圧をパルスで印加する。パルス幅とパルス高さの選択により各量子ドット22b,24bに選択的に電子を蓄積させ、しきい値電圧を変化させる。電子が蓄積された量子ドット22b,24bの違いを情報の違いとして多値情報が保持される。また、電子は共鳴トンネリングにより遷移するので、低い電圧で動作する。

請求項（抜粋）：

電流の通路となる伝導層と、この伝導層との間の距離が互いに異なり前記伝導層に近いほど局在するエネルギー準位が大きい2以上の量子ドットおよび各量子ドットに電荷を閉じ込める障壁層を有する情報保持部と、この情報保持部を介して前記伝導層と対向する位置に設けられた制御電極とを備えており、前記伝導層と前記制御電極との間にパルス状の電圧が印加されることにより、そのパルス幅とパルス高さとに応じて前記伝導層から遷移された電荷が異なる量子ドットに蓄積され、情報が保持されることを特徴とするメモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451 , H01L 29/06

Fターム (9件)：

5F001AA92 , 5F001AD80 , 5F001AF20 , 5F001AG27 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083HA06 , 5F083PR21 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (8件)

電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-332493 出願人：ソニー株式会社
プログラム可能抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-300646 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-350538 出願人：三洋電機株式会社

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