半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223630
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052981
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の生産性を向上しうる半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体基板上にパターンを露光する半導体製造装置であって、フォーカスを計測するフォーカス計測機構と、フォーカス面の傾斜を補正するフォーカス面傾斜補正機構とを有し、フォーカス面の補正値が所定値より大きい半導体チップの位置座標を抽出し、位置座標に基づいて半導体チップの検査を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にパターンを露光する半導体製造装置であって、フォーカスを計測するフォーカス計測機構と、フォーカス面の傾斜を補正するフォーカス面傾斜補正機構とを有し、前記フォーカス面の補正値が所定値より大きい半導体チップの位置座標を抽出し、前記位置座標に基づいて前記半導体チップの検査を行うことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G01B 15/00 , G03F 7/207 , H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/30 526 A , G01B 15/00 B , G03F 7/207 H , H01L 21/66 J , H01L 21/30 516 Z

Fターム (24件)：

2F067AA03 , 2F067AA54 , 2F067BB01 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067EE06 , 2F067GG01 , 2F067HH06 , 2F067LL00 , 2F067RR24 , 2F067RR30 , 2F067UU32 , 4M106AA02 , 4M106BA02 , 4M106CA39 , 4M106DB30 , 4M106DJ18 , 4M106DJ21 , 5F046AA17 , 5F046CC01 , 5F046CC05 , 5F046DA14 , 5F046DB05 , 5F046DD03

引用特許：

審査官引用 (6件)

露光装置および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-014778 出願人：キヤノン株式会社
測長機能を備えた走査電子顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-159967 出願人：株式会社日立製作所
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-131775 出願人：株式会社ニコン

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