特許
J-GLOBAL ID：200903016103564521
弾性表面波装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041480
公開番号（公開出願番号）：特開2004-112748
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】IDT電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、IDTの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】圧電性基板としてのLiTaO3基板上に、第1絶縁物層2を全面に形成し、IDT電極を形成するためのレジストパターン3を用いて、IDT電極が形成される部分の絶縁物層を除去し、第1絶縁物層が除去されている領域にAlよりも大きい密度の金属または該金属を主成分とする合金からなる電極膜を形成してIDT電極4Aを形成し、第1絶縁物層上に残留しているレジストを除去し、第1絶縁物層2及びIDT電極4Aを被覆するように第2絶縁物層6を形成する、弾性表面波装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気機械結合係数が15%以上のLiTaO3またはLiNbO3からなる圧電性基板と、
前記圧電性基板上に形成されており、Alよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはAlよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも1つの電極と、
前記少なくとも1つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第1絶縁物層と、
前記電極及び第1絶縁物層を被覆するように形成された第2絶縁物層とを備え、
前記電極の密度が、前記第1絶縁物層の1.5倍以上である、弾性表面波装置。
IPC (3件)：
H03H9/145
, H03H3/08
, H03H9/25
H03H9/145 C
, H03H3/08
, H03H9/25 C
5J097AA13
, 5J097AA15
, 5J097AA24
, 5J097BB01
, 5J097DD28
, 5J097DD29
, 5J097EE10
, 5J097FF03
, 5J097FF05
, 5J097GG03
, 5J097GG07
, 5J097HA02
, 5J097HA03
, 5J097KK04
, 5J097KK05
, 5J097KK09
