薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-045742
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270744
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】半導体層上の封止層形成において、アライメントが容易かつ歩留まりの高い封止層を有する薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、ならびにアクティブマトリスクディスプレイを提供することにある。【解決方法】基板上に形成されたゲート電極11、ゲート絶縁膜2、ソース電極17、ドレイン電極16および有機半導体層3を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層4を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、薄膜トランジスタを覆う封止層が複数の薄膜トランジスタにまたがり、絶縁基板上にストライプの形状で設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , G09F 9/00 , G09F 9/30

FI (7件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 612D , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , G09F9/00 338 , G09F9/30 309 , G09F9/30 338

Fターム (56件)：

5C094AA37 , 5C094AA38 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA07 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ14 , 5G435AA13 , 5G435AA14 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325370 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (4件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069440 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090805 出願人：株式会社日立製作所
有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-129039 出願人：三星電子株式会社

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