特許
J-GLOBAL ID：200903016164829722
半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-096106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054473
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 洗浄効果が高く、工程の単純化を図ることもでき、しかもキャパシタの静電容量をより大きく確保できる半導体装置製造のための洗浄用組成物及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 ストレージ電極パターン14' の露出面上に半球形シリコン層(HSG -Si)16を形成した後、本発明による洗浄用組成物を使用して洗浄及び自然酸化膜除去工程を1段階の工程で行う。洗浄用組成物は、0.5 重量%のHF、3重量%のH2O2、30重量%のIPA 及び残量のH2O を混合して製造される。
請求項（抜粋）：
0.01ないし10重量%のHF、1ないし10重量%のH2O2、0.01ないし30重量%のIPA (Isopropyl Alcohol )及び残量のH2O を混合して製造されることを特徴とする半導体装置製造のための洗浄用組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/304 647
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/304 647 A
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 B
