特許
J-GLOBAL ID：200903065108965800
レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228696
公開番号（公開出願番号）：特開2006-064712
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、レジスト膜の引き置き耐性を向上させることができ、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】アルカリに可溶であるポリマーと架橋剤とこれらを溶解可能な溶媒とを少なくとも構成成分として組成物とし、この組成物を用いて使用するレジスト膜の表面に保護膜を形成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
レジスト膜の上層保護膜を形成するためのレジスト保護膜形成材料であって、
アルカリに可溶なポリマー成分と架橋剤と溶剤とを少なくとも含有してなることを特徴とするレジスト保護膜形成用材料。
IPC (3件)：
G03F 7/11
, G03F 7/039
, H01L 21/027
G03F7/11 501
, G03F7/039 601
, H01L21/30 575
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB28
, 2H025CB33
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025DA03
, 2H025FA03
, 2H025FA17
, 5F046JA22
