特許
J-GLOBAL ID：200903016230861004

半導体撮像装置及びその製造方法

発明者：
菰口 徹哉

菰口 徹哉 について

, 
東宮 祥哲

東宮 祥哲 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-018608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224249
出願日： 2002年01月28日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 多層配線化及び多画素化に伴いアスペクト比が高くなった場合に、この光導波路部を成す透明膜の埋め込み性が改善されることにより集光効率を向上できるようにする。【解決手段】 フォトダイオード15を有するシリコン基板11と、このシリコン基板11に接続された配線19A,19Bと、この配線19A等を絶縁するためにフォトダイオード15を含むシリコン基板11上に設けられた層間絶縁膜21と、フォトダイオード15上の配線19A,19Bを除く層間絶縁膜21を貫く部分であって、当該層間絶縁膜21の最上部からフォトダイオード表面へ至る部分に設けられた多段開口幅状の光導波路部22とを備えるものである。光導波路部32はその最上部の開口幅w1に比べて最下部の開口幅w2を狭くなされた多段開口幅状の構造を有している。
請求項（抜粋）：
半導体撮像素子を有する所定の基板と、前記基板に接続された導電性の膜と、前記導電性の膜を絶縁するために前記半導体撮像素子を含む基板上に設けられた絶縁性の膜と、前記半導体撮像素子上の導電性の膜を除く前記絶縁性の膜を貫く部分であって、当該絶縁性の膜最上部から半導体撮像素子表面へ至る部分に設けられた多段開口幅状の光導波路部とを備えることを特徴とする半導体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  G02B 5/20 101 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
G02B 5/20 101 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A
Fターム (28件)：
2H048BA02 ,  2H048BB02 ,  2H048BB10 ,  2H048BB28 ,  2H048BB47 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GD04 ,  5C024CY47 ,  5C024EX24 ,  5C024EX42 ,  5C024EX52 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049PA14 ,  5F049SZ06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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