特許
J-GLOBAL ID：200903016252208312
回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134707
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326949
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】ヒートサイクルに対する耐久性が高く、金属回路パターンの微細化を実現させた回路基板を生産性よく製造すること。【解決手段】活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mmであり、しかもその最短間隔における150°Cの絶縁抵抗が1×1011Ω・cm以上であることを特徴とする回路基板。活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mm、金属回路の下端部からのはみ出し接合層の長さが-50μm(内側に50μm)〜+30μm(外側に30μm)、及び金属回路の下端部と上端部との寸法差が50〜100μmであることを特徴とする回路基板。
請求項（抜粋）：
活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mmであり、しかもその最短間隔における150°Cの絶縁抵抗が1×1011Ω・cm以上であることを特徴とする回路基板。
IPC (3件)：
H05K 1/02
, H01L 23/12
, H05K 3/20
H05K 1/02 J
, H05K 3/20 Z
, H01L 23/12 J
