半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124175
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】化学機械研磨を用いるプロセスでの、配線の消失および抵抗増大を防止すること。【解決手段】配線材料を溶出しない研磨液で研磨を行った後、還元剤で処理する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属薄膜層を化学機械研磨法により研磨する際、研磨後に、還元剤を含む溶液に上記半導体基板の研磨面を触れさせることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , B24B 57/02

FI (3件)：

H01L 21/304 622 P , B24B 37/00 H , B24B 57/02

Fターム (9件)：

3C047AA18 , 3C047AA21 , 3C047GG14 , 3C058AA07 , 3C058AA16 , 3C058AB06 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

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