特許
J-GLOBAL ID：200903016529800745

MTJ素子、MTJ素子アレイ、ならびにMTJ素子の製造方法

発明者：
洪 成宗

洪 成宗 について

, 
童 茹瑛

童 茹瑛 について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-044583
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253807
出願日： 2004年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】 平坦な下部電極層を備えたMTJ素子を容易に製造することが可能なMTJ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ニッケルクロム合金(NiCr)により形成されたシード層20と、ルテニウム(Ru)により形成された非磁性高融点金属層30と、ニッケルクロム合金により形成されたオーバー層40とがこの順に積層された積層構造を有するように下部電極層1を構成する。シード層20上に非磁性高融点金属層30が形成される際に、そのシード層20の結晶成長促進作用に基づき、最密結晶面が層表面に対して平行に配向するように成長することにより非磁性高融点金属層30が形成される。これにより、非磁性高融点金属層30の結晶面が適性に制御されるため、下部電極層1の表面が大面積に渡って平坦になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
平坦な基体と、平坦な下部電極層と、平坦な磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunneling Junction )層と、保護層と、がこの順に積層された積層構造を有し、 前記下部電極層が、 結晶成長を高めるためのシード層と、 前記シード層により結晶面が層表面に対して平行に配向された非磁性高融点金属層と、 上層の結晶配向を決定すると共に、前記シード層と共に前記非磁性高融点金属層内の電子の鏡面反射性を高めることにより前記下部電極層のシート抵抗を低下させるためのオーバー層と、がこの順に積層された積層構造を有している ことを特徴とするMTJ素子。
IPC (2件)：
H01L43/08 ,  H01L27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第5841692号明細書
  • 米国特許第6205052B1号明細書
  • 米国特許第6114719号明細書
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審査官引用 (9件)
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