特許
J-GLOBAL ID：200903016683351015
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-218542
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041163
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】不純物領域に3C-SiC欠陥が混入しないようにすると共に、選択マスクを着実に除去できるようにする。【解決手段】トレンチ5内に形成される不純物領域7の成長上面が選択マスクとなるカーボン膜2の下面よりも下方となるようにする。すなわち、カーボン膜2の下面までにトレンチ5内に形成される不純物領域7の成長上面を抑える。これにより、不純物領域7の横方向の拡大を抑制することができ、横方向成長した場合に発生する3C-SiC膜8の多形混入を防止することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板(1)の上面に選択成長用マスク(2)を形成する選択マスク形成工程と、
前記選択成長用マスク(2)の上面にトレンチエッチング用マスク(3)を形成するトレンチマスク形成工程と、
前記トレンチエッチング用マスク(3)と選択成長用マスク(2)を連続してパターニングするマスクパターン工程と
前記トレンチエッチング用マスク(3)を用いてドライエッチングを行い、前記炭化珪素基板(1)にトレンチ(5)を形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチエッチング用マスク(3)を除去した後、前記炭化珪素基板(1)をエピタキシャル成長温度まで加熱する昇温工程と、
前記トレンチ(5)内にエピタキシャル成長法により、不純物領域(7)をその上面が前記選択成長用マスク(2)の上面よりも下方となるように形成する不純物領域形成工程と、
前記選択成長用マスク(2)を除去する選択マスク除去工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 29/161
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AD18
, 5F045AE25
, 5F045AF02
, 5F045DA51
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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