特許
J-GLOBAL ID：200903069683868430
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069190
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270512
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 選択エピタキシャル成長時にマスク材が軟化したり、マスク材から不純物汚染が生じたりしないようにする。【解決手段】 n+型基板1の上にn-型エピ層2を形成したのち、n-型エピ層2の上にマスク材としてグラファイト層3を形成する。例えば、n-型エピ層2の表層部に存在するSiを昇華させることにより、グラファイト層3を形成する。そして、グラファイト層の所望領域に開口部を形成したのち、グラファイト層3をマスクとして用いた選択エピタキシャル成長を行う。これにより、開口部に不純物領域5をエピタキシャル成長させる。このように用いられるグラファイト層3の軟化温度は、選択エピタキシャル成長時の温度よりも高く、また、グラファイト層3をn-型エピ層2そのものから形成できるため、不純物汚染も生じない。
請求項（抜粋）：
炭化珪素層(2)を有する半導体基板(1)を用意する工程と、前記炭化珪素層の上にマスク材としてグラファイト層(3)を形成する工程と、前記グラファイト層の所望領域に開口部を形成すると共に、該グラファイト層をマスクとして用いた選択エピタキシャル成長を行うことにより、前記開口部に不純物領域(5)をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
Fターム (14件)：
5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AB07
, 5F045AB14
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045AF20
, 5F045BB14
, 5F045DB02
, 5F045GH10
, 5F045HA13
, 5F045HA16
出願人引用 (11件)
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特開平3-247597
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特開平2-172894
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特開平2-267196
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