特許
J-GLOBAL ID：200903016919609620
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195742
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030500
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 書込/消去不能のビットがある場合に、全ビットが良品でないときにはその時点でテストを中断し、手順や判断を変更して試験時間を短縮できるような不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 VERIFY1=“L”,VERIFY2=“H”レベルに設定し、トランジスタ19,22によってノード21を充電し、EXORゲート11〜14によって書込データと読出データとを比較し、その比較出力をトランジスタ15〜18に与え、インバータ20の出力により、対象のメモリセルのすべてが所望のデータになったか否かを判別する。次に、VERIFY1,2ともに“L”レベルに設定し、すべてのメモリセルから1個のメモリセルを除いて所望のデータになったか否かを判定し、書込または消去フェイルに要する時間の短縮を図る。
請求項（抜粋）：
電気的に書込/消去可能な不揮発性半導体記憶装置であって、それぞれが対応のビット線とワード線に接続される複数のメモリセルと、前記ビット線からメモリセルのデータを読出す読出手段と、前記メモリセルに書込を行なう書込手段と、前記メモリセルの消去を行なう消去手段と、前記書込手段による書込または前記消去手段による消去後に対象のメモリセルすべてが所望のデータになったか否かの判定を行なうとともに、1個から数個のメモリセルを除いてすべてのメモリセルが所望のデータになったか否かの2種類の判定を行なう判定手段を備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 673
, G11C 16/02
G11C 29/00 673 Z
, G11C 17/00 611 A
, G11C 17/00 612 B
5B025AA03
, 5B025AD04
, 5B025AD08
, 5B025AD16
, 5B025AE05
, 5B025AE09
, 5L106AA10
, 5L106DD00
, 5L106EE02
, 5L106FF01
