特許
J-GLOBAL ID：200903017026598333

電力増幅器用バイアス回路

発明者：
山本 和也

山本 和也 について

, 
前村 公正

前村 公正 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-323349
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134768
出願日： 2005年11月08日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】GaAs-HBT電力増幅器において基準電圧Vrefを低くした際に、アイドル電流が流れなくなることを防止する。【解決手段】GaAs-HBTからなるTrb1を含む電圧駆動バイアス回路と並列に、抵抗Rbb9を設けた構成とする。この構成により、リファレンス電圧入力端子(Vrefb)により印加される電圧がTrb4の動作する電圧より低いアイドル状態で、Vrefbから抵抗Rbb9を介してTr2のベース端子に電流を供給することができる。これにより、基準電圧VrefをHBTの障壁電圧の2倍未満まで低下させても、低温から高温までほぼ一定のアイドル電流を保ちながら、所望の増幅動作を可能とすることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
増幅用トランジスタと、 前記増幅用トランジスタのベース端子にバイアス電流を供給するバイアス回路とを備え、前記バイアス回路は、 外部からリファレンス電圧が入力されるリファレンス電圧入力端子と、 前記増幅用トランジスタのベース端子に前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、 コレクタ端子が前記第1のトランジスタと前記増幅用トランジスタのベース端子との接続点に第1の抵抗を介して接続され、エミッタ端子が接地された第2のトランジスタと、 ベース端子が第2の抵抗を介して前記リファレンス電圧入力端子に接続され、前記第2のトランジスタのベース端子に、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、 ベース端子が前記第1のトランジスタのエミッタ端子に接続され、エミッタ端子が接地され、コレクタ端子が第3の抵抗を介して前記リファレンス電圧入力端子に接続された第4のトランジスタと、 一方の端子が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他方の端子が前記増幅用トランジスタのベース端子に接続された第4の抵抗とを有し、 前記リファレンス電圧が前記第1のトランジスタの動作する電圧未満である際に、前記リファレンス電圧端子から前記第4の抵抗を介して、前記増幅用トランジスタのベース端子に電流を供給することを特徴とする電力増幅用バイアス回路。
IPC (1件)：
H03F 1/30
FI (1件)：
H03F1/30 A
Fターム (17件)：
5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AA59 ,  5J500AC02 ,  5J500AC37 ,  5J500AC82 ,  5J500AF10 ,  5J500AF11 ,  5J500AH06 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AK12 ,  5J500AS14 ,  5J500AT02 ,  5J500AT04 ,  5J500NF01 ,  5J500NF06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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