III族元素窒化物結晶半導体デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299311
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041458
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】アルカリ金属の拡散が防止された半導体デバイスを提供する。【解決手段】 III族元素窒化物結晶基板13の上にIII族元素窒化物結晶層18が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスにおいて、前記基板13が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液(フラックス)中において、窒素含有ガスの前記窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板13上に、前記基板13における前記基板13中の不純物の拡散係数よりも小さい、前記基板13中の不純物の拡散係数を有する薄膜層15を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族元素窒化物結晶基板上にIII族元素窒化物結晶層が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスであって、前記基板が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液(フラックス)中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板上に、薄膜層が形成されており、前記薄膜層における前記基板中の不純物の拡散係数が、前記基板における前記基板中の不純物の拡散係数よりも小さいことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , C30B 29/38 , H01L 21/208 , H01S 5/323

FI (4件)：

H01L29/80 H , C30B29/38 C , H01L21/208 Z , H01S5/323 610

Fターム (28件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CG06 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077QA12 , 4G077QA74 , 5F053AA02 , 5F053BB02 , 5F053BB08 , 5F053BB27 , 5F053PP12 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F173AH22 , 5F173AP03

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaN単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-097551 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (6件)

観察機能付III族窒化物結晶、成長装置、方法、およびデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-145706 出願人：株式会社リコー
光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-287790 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭59-003920

全件表示

前のページに戻る