特許
J-GLOBAL ID：200903071206203420

シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法

発明者：
桜田 昌弘

桜田 昌弘 について

, 
飯田 誠

飯田 誠 について

, 
太田 友彦

太田 友彦 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229337
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044388
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：
【要約】【課題】 熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にOSFまたはOSFの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。【解決手段】 結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の融点から1400°Cの間の温度勾配をG(温度変化量/結晶軸方向長さ)[°C/cm]とし、結晶中心部分の温度勾配Gcと結晶周辺部分の温度勾配Geとの差を△G=(Ge-Gc)で表した時、△Gが0または負となるように、用いる装置の炉内温度を制御し、かつ結晶直径を横軸に、引上げ速度を縦軸として欠陥分布を示した分布図において、OSF領域が帯状逆M字型またはU字型を形成する時、OSF領域の内側ラインの最小値に対応する引上げ速度と、OSF領域の外側ラインの最大値に対応する引上げ速度の範囲内に制御しながら結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にOSFまたはOSFの核が存在することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (2件)：
C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P
Fターム (29件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077EA07 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG19 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ02 ,  4G077FE04 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077TK01 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH10 ,  5F053PP20 ,  5F053RR20
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM