半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 中村恵子 , 遠藤和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-168639
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010086
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】それぞれが適した閾値を有するフィン型MOSFETとプレーナ型MOSFETが混載され、且つ少ない工程で製造することができる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させない第1のゲート絶縁膜と、を有するプレーナ型MOSFETと、第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させる第2のゲート絶縁膜と、を有するフィン型MOSFETと、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させない第1のゲート絶縁膜と、を有するプレーナ型MOSFETと、第2のゲート電極と、前記第2のゲート電極にフェルミレベルピニングを発生させる第2のゲート絶縁膜と、を有するフィン型MOSFETと、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/283 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28

FI (7件)：

H01L27/08 102C , H01L21/283 C , H01L27/08 102B , H01L29/78 301X , H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L21/28 301R

Fターム (74件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB19 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF16 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BB14 , 5F048BB17 , 5F048BB18 , 5F048BD06 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA06 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BF03 , 5F140BF10 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF42 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BH14 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-267833 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
集積半導体構造の製造方法及び対応する集積半導体構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-192767 出願人：キマンダアーゲー
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-351830 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

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