半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267833
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123867
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】仕事関数の調整された複数ゲート電極を形成するための製造方法を提供する。【解決手段】相補型金属酸化膜半導体(CMOS)デバイスは、第1のパラメータを有する少なくとも2つの第1のゲート電極120を備えたPMOSトランジスタと、上記第1のパラメータとは異なる第2のパラメータを有する少なくとも2つの第2のゲート電極120を備えたNMOSトランジスタと、を有している。上記第1のパラメータおよび上記第2のパラメータは、上記PMOSおよびNMOSトランジスタの上記ゲート電極材料の厚さ、またはドーパントプロファイルを含んでいる。上記少なくとも2つの第1のゲート電極および上記少なくとも2つの第2のゲート電極の上記第1および第2のパラメータは、それぞれ、上記PMOSおよびNMOSトランジスタの仕事関数を規定する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1のパラメータを有する少なくとも2つの第1のゲート電極を備えた第1のトランジスタと、上記第1のトランジスタに隣接していると共に、上記第1のパラメータとは異なる第2のパラメータを有する少なくとも2つの第2のゲート電極を備えた第2のトランジスタと、を有している半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 27/08 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L27/08 331E , H01L29/78 613A , H01L29/78 617K , H01L29/78 618C

Fターム (88件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104DD82 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BB18 , 5F048BD06 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG30 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110NN02 , 5F110NN62 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079333 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
金属ゲートスタック制御を伴うMOSFETしきい値電圧調整
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-007398 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-153912 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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