特許
J-GLOBAL ID：200903017371600405

荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法

発明者：
中平 健治

中平 健治 について

, 
宮本 敦

宮本 敦 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-089133
公開番号（公開出願番号）：特開2009-245674
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】 パターンの形状や試料特性に応じて,高速・高性能な画質改善処理を行う。【解決手段】設計データや,設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより,画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し,画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに,設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより,類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
集束させた荷電粒子ビームをパターンが形成された試料の表面に照射して走査する荷電粒子ビーム照射部と、該荷電粒子照射部により荷電粒子ビームを照射して走査することにより前記試料から発生する二次荷電粒子を検出して前記試料表面の二次荷電粒子像を生成する二次荷電粒子像取得部とを備えた荷電粒子像取得手段と、 該荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像を処理する画質改善手段と、 該画像処理手段で処理した結果を出力する出力手段と を備えた荷電粒子顕微鏡装置であって、 前記画質改善手段は、前記試料上に形成したパターンの設計データと前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像との位置を合わせた後,前記試料上に形成したパターンの設計データを用いて前記荷電粒子像取得手段で生成した前記試料表面の二次荷電粒子像の画質を改善することを特徴とする荷電粒子顕微鏡装置。
IPC (4件)：
H01J 37/22 ,  G01B 15/00 ,  H01L 21/66 ,  G01N 23/225
FI (4件)：
H01J37/22 502H ,  G01B15/00 K ,  H01L21/66 J ,  G01N23/225
Fターム (28件)：
2F067AA13 ,  2F067AA21 ,  2F067AA33 ,  2F067AA54 ,  2F067CC17 ,  2F067GG08 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK08 ,  2F067RR12 ,  2F067RR30 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001FA08 ,  2G001GA12 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001LA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭63-211472号公報
  • 特開平3-44613号公報
  • 半導体検査システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-132668   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM