特許
J-GLOBAL ID：200903017432727578

2つの仕事関数を備えたCMOSデバイスの製造方法

発明者：
チャン・ショウ-ゼン

チャン・ショウ-ゼン について

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ユ・ホン・ユ

ユ・ホン・ユ について

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アナベラ・ベロソ

アナベラ・ベロソ について

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リタ・フォス

リタ・フォス について

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ステファン・クビセック

ステファン・クビセック について

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セルジュ・ビースマン

セルジュ・ビースマン について

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ラグナス・シンガナマラ

ラグナス・シンガナマラ について

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アンネ・ラウウェルス

アンネ・ラウウェルス について

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バルト・オンシア

バルト・オンシア について


出願人/特許権者：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ について

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タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド

タイワン・セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー・リミテッド について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-002367
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211182
出願日： 2008年01月09日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】本発明は、2つの仕事関数の半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、基板の第1領域及び第2領域上にデバイスを設けることを備える。これは、基板の第1領域及び第2領域上に誘電性層を設けること、及び第1及び第2領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。第1領域上のゲート電極及び第2領域上のゲート電極の両方は仕事関数を有する。上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第1領域上にキャッピング層を設けることで第1領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第2領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第2領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。【選択図】図20
請求項（抜粋）：
2つの仕事関数半導体デバイスの製造方法において、 -基板の第1領域及び第2領域上に誘電性層を設けること、ここで第1領域上の誘電性層は第2領域上の誘電性層とともに一体に堆積され、さらに、 -第1及び第2領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けること、ここで第1領域上のゲート電極は第2領域上のゲート電極とともに一体に堆積され、かつ第1領域上のゲート電極及び第2領域上のゲート電極の両方は仕事関数を有し、 によって、基板の第1領域及び第2領域上にそれぞれデバイスを設けることを備え、 上記方法は、さらに、 誘電性層とゲート電極との間で第1領域上にキャッピング層を設け第2領域上には設けないことで第1領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び 第1領域ではなく第2領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第2領域上のゲート電極の仕事関数を変更する、 ことを備えた、2つの仕事関数半導体デバイスの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/314
FI (6件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/306 D ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/314 M
Fターム (92件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F043AA37 ,  5F043AA38 ,  5F043BB25 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD16 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF38 ,  5F140BG32 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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